京东方科技集团股份有限公司王锋获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000561.X，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权薄膜传感器及其制备方法是由王锋;周健;李延钊;曲峰设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种薄膜传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的薄膜传感器，具有交叉设置的多个导电线所在区域，由所述多个导电线所在区域交叉设置限定出的多个镂空部；所述薄膜传感器包括：衬底基板，多条导电线，设置在所述衬底基板上，且一个所述导电线所在区域设置一条所述导电线；功能结构，设置在所述衬底基板上；其中，所述功能结构被配置为，将沿预设方向传输、且由所述导电线所在区域入射至所述功能结构的光线中的至少部分由所述镂空部射出；其中，所述预设方向为所述衬底基板指向所述导电线的方向。
本发明授权薄膜传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜传感器，其包括： 衬底基板； 多条导电线，设置在所述衬底基板上，且所述多条导电线交叉设置，限定出多个镂空部； 功能结构，设置在所述衬底基板上；其中，所述功能结构被配置为，将沿预设方向传输、且由所述导电线所在区域入射至所述功能结构的光线中的至少部分由所述镂空部射出；其中，所述预设方向为所述衬底基板指向所述导电线的方向； 所述功能结构包括：设置在所述导电线靠近所述衬底基板一侧的第一介质层；所述第一介质层包括交叉设置的多个第一主体部；一个所述第一主体部与一条所述导电线在所述衬底基板上的正投影重叠； 所述薄膜传感器还包括：覆盖在所述多条导电线背离所述衬底基板一侧的平坦化层，所述平坦化层中落入所述镂空部的部分覆盖所述第一主体部的侧壁；且所述第一介质层的折射率小于所述平坦化层的折射率。
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