信越半导体株式会社大西邦明获国家专利权
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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030950.7，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置是由大西邦明设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明是一种硅晶圆的蚀刻方法，包括：旋转蚀刻工序，通过供给喷嘴向硅晶圆的正面或背面、或两面供给酸蚀刻液，使所述硅晶圆旋转，将所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆整面而进行酸蚀刻，其特征在于，在所述旋转蚀刻工序中，将所述硅晶圆的中心轴从保持所述硅晶圆的台的旋转轴错开15mm以上设置而进行蚀刻。由此，本发明的目的在于提供一种能够改善蚀刻加工余量的硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置。
本发明授权硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种硅晶圆的蚀刻方法，包括：旋转蚀刻工序，将硅晶圆的正反翻转通过供给喷嘴向所述硅晶圆的两面供给酸蚀刻液，使所述硅晶圆旋转，将所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆整面而进行酸蚀刻， 其特征在于， 在所述旋转蚀刻工序中，将所述硅晶圆的中心轴从保持所述硅晶圆的台的旋转轴错开15mm以上设置而进行蚀刻， 将所述硅晶圆的所述中心轴从保持所述硅晶圆的台的所述旋转轴错开的方向设为，在所述硅晶圆的正面与背面相对于所述硅晶圆中心轴呈点对称的位置关系。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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