富士电机株式会社皆川启获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及其过电流保护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110225926.0，技术领域涉及：H02H7/12；该发明授权半导体装置及其过电流保护方法是由皆川启设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其过电流保护方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其过电流保护方法，将开关元件保护功能高精度化。具备：开关元件2的芯片温度检测二极管8；控制电路温度检测二极管3，其配置于控制开关元件2的控制电路；以及过电流基准电压校正电路4，其比较两者的检测电位，并校正由过电流基准电压电路5生成的过电流基准电压，并输出校正后的过电流基准电压。
本发明授权半导体装置及其过电流保护方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 开关元件； 控制电路，其控制所述开关元件，并具有所述开关元件的过电流检测电路； 第一温度检测单元，用于所述开关元件的温度检测；以及 第二温度检测单元，用于所述控制电路的温度检测， 所述控制电路具备基准校正电路，所述基准校正电路基于通过所述第一温度检测单元检测出的第一检测值和通过所述第二温度检测单元检测出的第二检测值，校正所述过电流检测电路的过电流基准值，并输出校正后的过电流基准值， 所述基准校正电路具有：第一差动放大电路，其被输入所述第一检测值和所述第二检测值；以及第二差动放大电路，其被输入所述第一差动放大电路的输出值以及所述过电流检测电路的过电流基准值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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