日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110209039.4，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基板，基板具有至少一个第一导电元件和至少两个第一磁性装置；芯片，芯片具有至少一个第二导电元件和至少两个第二磁性装置；至少一个第一导电元件和至少一个第二导电元件一一对应，各第一导电元件和分别与相应的第二导电元件电连接；至少两个第一磁性装置和至少两个第二磁性装置一一对应，各第一磁性装置和分别与相应的第二磁性装置通过磁力作用接合。该半导体封装装置可利用上下两磁性装置之间最强磁力线相吸且不会偏移的原理，能够有效解决现有倒装芯片技术中器件对准精度受限的问题，进而提高产品良率。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 基板，所述基板具有至少一个第一导电元件和至少两个第一磁性装置，所述至少两个第一磁性装置位于所述基板的对角线上； 芯片，所述芯片具有至少一个第二导电元件和至少两个第二磁性装置，所述至少两个第二磁性装置位于所述芯片的对角线上； 所述至少一个第一导电元件和所述至少一个第二导电元件一一对应，各所述第一导电元件和分别与相应的所述第二导电元件电连接； 所述至少两个第一磁性装置和所述至少两个第二磁性装置一一对应，各所述第一磁性装置和分别与相应的所述第二磁性装置通过磁力作用接合，其中，每个所述第一磁性装置和每个所述第二磁性装置均包括至少两个磁体，所述至少两个磁体对应至少两种不同的高度，所述至少两个磁体对应不同的磁性方向； 所述第一磁性装置中较高的一个磁体的上端和所述第二磁性装置中较高的一个磁体的下端因互斥产生水平方向的作用力。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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