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浙江英洛华磁业有限公司魏中华获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江英洛华磁业有限公司申请的专利一种R-T-B-Si-M-A系稀土永磁体获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113066624B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110204313.9,技术领域涉及:H01F1/057;该发明授权一种R-T-B-Si-M-A系稀土永磁体是由魏中华;何剑锋;付松;朱啸航;何杰杰;高康设计研发完成,并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种R-T-B-Si-M-A系稀土永磁体在说明书摘要公布了:本发明提供了一种R‑T‑B‑Si‑M‑A系稀土永磁体,主要包括质量配比组成如下的组分:R29.0%~32.8%,B0.9%~0.98%,Si0.01%~0.1%,M0.05%~2%,A0.2%~1%;本发明在R‑T‑B系稀土永磁体中,通过添加规定量的Si,以及适量的Cu和Ga,其结果,能够提高剩磁和矫顽力,并且显著改善大批量生产时磁体的剩磁和矫顽力的一致性。

本发明授权一种R-T-B-Si-M-A系稀土永磁体在权利要求书中公布了:1.一种R-T-B-Si-M-A系稀土永磁体,主要包括质量配比组成如下的组分: R29.0%~32.8% B0.9%~0.98% Si0.01%~0.1% M0.05%~2% A0.2%~1% 余量为T以及不可避免的杂质; 所述R选自下列至少一种元素:Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、La、Ce、Pm、Sm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu或Y; 所述M选自下列至少一种元素:Al、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Nb、Ti、Hf、Zr或Cr; 所述T选自Fe和Co中的至少一种元素; 所述A选自Ga和Cu中的至少一种元素;所述R-T-B-Si-M-A系稀土永磁体主相为R2T14B型化合物,在主相之间的晶界相中含有Si含量为0.02wt.%~2.0wt.%的富Si区域;所述富Si区域中含有Ga和Cu元素中的至少一种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江英洛华磁业有限公司,其通讯地址为:322118 浙江省金华市东阳市横店电子工业园浙江英洛华磁业有限公司;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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