三星电子株式会社都桢湖获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110155933.8，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成电路器件是由都桢湖设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件在说明书摘要公布了：提供了包括标准单元的集成电路器件。该集成电路器件可以包括下晶体管区域和上晶体管区域。下晶体管区域可以包括下有源区域、下源极漏极区域、以及与下源极漏极区域交替排列的下栅极结构。上晶体管区域可以包括上有源区域、上源极漏极区域、以及与上源极漏极区域交替排列的上栅极结构。上栅极结构可以包括第一上栅极结构。该集成电路器件还可以包括输入线、将输入线电连接到第一上栅极结构的输入通路、以及电连接一对下源极漏极区域或一对上源极漏极区域的布设线。布设线的上表面可以比输入线的上表面更靠近衬底。
本发明授权集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 在衬底上的下晶体管区域，所述下晶体管区域包括： 在第一水平方向上延伸的下有源区域； 接触所述下有源区域的多个下源极漏极区域；以及 多个下栅极结构，接触所述下有源区域并沿所述第一水平方向与所述多个下源极漏极区域交替地排列； 在所述下晶体管区域上的上晶体管区域，所述上晶体管区域包括： 在所述第一水平方向上延伸的上有源区域； 接触所述上有源区域的多个上源极漏极区域；以及 多个上栅极结构，接触所述上有源区域并沿所述第一水平方向与所述多个上源极漏极区域交替地排列，其中所述多个上栅极结构包括第一上栅极结构； 在所述第一上栅极结构上的输入线； 输入通路，在所述输入线与所述第一上栅极结构之间并将所述输入线电连接到所述第一上栅极结构；以及 布设线，在所述第一水平方向上延伸并电连接所述多个下源极漏极区域中的一对下源极漏极区域或所述多个上源极漏极区域中的一对上源极漏极区域， 其中所述布设线包括面对所述衬底的下表面和与所述下表面相反的上表面，所述布设线的所述上表面比所述输入线的上表面更靠近所述衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号