晶呈科技股份有限公司刘埃森获国家专利权
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龙图腾网获悉晶呈科技股份有限公司申请的专利具有顺磁性发光元件的芯片结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110148459.6，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权具有顺磁性发光元件的芯片结构及其制造方法是由刘埃森;冯祥铵;钟承育设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有顺磁性发光元件的芯片结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有顺磁性发光元件的芯片结构及其制造方法，该制造方法包括在一第一基板上形成磊晶层、执行一第一蚀刻制程，并在设置一绝缘层、复数个焊垫及暂时基板后移除所述第一基板，之后，在该磊晶层顶部表面上接合一磁性金属结构，并去除所述的暂时基板，接续执行一第二蚀刻制程与切割制程，以形成具有顺磁性发光元件的一芯片结构。通过本发明所公开的芯片结构及其制造方法，改良原有基材的软磁性，具有较佳的初始磁导率，并具有晶粒自动翻转及对位的功效，不仅可有效改良公知覆晶接合的流程，还可符合产业进行快速的巨量移转技术。
本发明授权具有顺磁性发光元件的芯片结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有顺磁性发光元件的芯片结构的制造方法，适于覆晶接合于一电路板，并且通过覆晶接合制程，使所形成的芯片结构自动翻转对位并接合于该电路板，以提供外部信号的电性导通，其特征在于，该制造方法包括： 提供一第一基板，并在该第一基板上形成一磊晶层； 执行一第一蚀刻制程，以在该磊晶层中形成至少二空腔； 提供一绝缘层，设置于该磊晶层之上并填充该些空腔； 贯穿该绝缘层设置有至少一第一焊垫与二第二焊垫，每一该第二焊垫设置于一该空腔内； 在该绝缘层上设置一暂时基板，并移除该第一基板，使该第一焊垫与该些第二焊垫夹置于该磊晶层、该绝缘层与该暂时基板之间； 在该磊晶层顶部表面上接合一磁性金属结构，去除该暂时基板，该磁性金属结构具有一初始磁导率； 根据该绝缘层与该磊晶层执行一第二蚀刻制程，该第二蚀刻制程终止于该磁性金属结构的顶表面；以及 由该磁性金属结构的该顶表面开始，接续执行一切割制程，以完成切割该磁性金属结构，形成一具有顺磁性发光元件的芯片结构。
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