富泰华工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司陈中怡获国家专利权
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龙图腾网获悉富泰华工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110139342.1，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体装置及半导体装置制造方法是由陈中怡设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的存储单元包括层叠结构、穿透层叠结构的收容空间、阻挡层、浮栅层及通道层。层叠结构包括至少一层控制层、至少两层介电层以及至少一层擦除层。收容空间包括第一收容部和多个与第一收容部连通的第二收容部。第一收容部穿透层叠结构。第二收容部与控制层共面设置。阻挡层和浮栅层收容于第二收容部内，浮栅层通过阻挡层与控制层绝缘设置。擦除层用于在执行数据擦除操作时与浮栅层配合形成电子流通路径。本发明还提供了一种半导体装置的制造方法。
本发明授权半导体装置及半导体装置制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括多个存储单元；每个所述存储单元包括： 层叠结构，其包括至少一层控制层、至少两层介电层以及至少一层擦除层；其中，所述擦除层与所述控制层之间通过所述介电层隔离； 穿透所述层叠结构的收容空间；所述收容空间包括第一收容部和多个与所述第一收容部相连通的第二收容部；所述第一收容部穿透所述层叠结构；所述第二收容部与所述控制层共面设置； 阻挡层，收容于所述第二收容部内； 浮栅层，收容于所述第二收容部内，且通过所述阻挡层与所述控制层绝缘设置； 通道层，收容于所述第一收容部内； 其中，在所述半导体装置执行数据擦除操作时，所述擦除层上施加正向电压，所述浮栅层浮接，所述控制层施加小于所述正向电压的电压，电子从所述浮栅层经过位于所述擦除层和所述浮栅层重叠部分的所述介电层以及所述阻挡层的侧壁流入所述擦除层，所述擦除层与所述浮栅层配合形成电子流通路径。
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