TCL科技集团股份有限公司严怡然获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011636185.7，技术领域涉及：H10K50/10；该发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法是由严怡然设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为氮化锂或卤素锂化物掺杂的氮化锂；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。本发明中，所述界面层可有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入速率，同时有效防止电子发生隧穿与空穴在非量子点发光区复合，从而提高器件的发光效率。
本发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为氮化锂或卤素锂化物掺杂的氮化锂；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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