长江存储科技有限责任公司张珍珍获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111325610.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件及其制作方法是由张珍珍;刘隆冬;李明;周颖设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括平台区和与平台区相邻的台阶区，平台区和台阶区的顶部为第二材料层；形成覆盖平台区上表面和台阶区表面的第三材料层；形成填充台阶区且覆盖平台区的第四材料层；去除平台区上的第三材料层和第四材料层，且保留位于平台区上靠近台阶区的边缘的第三材料层和第四材料层；进行第一次平坦化，第一次平坦化去除凸起的第四材料层，且停留在平台区上表面的第二材料层和第三材料层。该制作方法增大了接触孔的连接窗口，有效避免了平台区边缘处的过磨。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠结构、以及覆盖于所述第一堆叠结构表面的连接层； 形成贯穿所述连接层的开口和贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述开口与所述第一沟道孔连通； 采用干法刻蚀工艺刻蚀且仅刻蚀所述连接层，以扩大所述开口的特征尺寸，使得扩大后的所述开口的底部的特征尺寸大于所述第一沟道孔的顶部的特征尺寸；所述干法刻蚀工艺至少包括采用不同射频功率的第一阶段干法刻蚀和第二阶段干法刻蚀； 形成填充层于所述开口内和空的所述第一沟道孔内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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