株式会社日本显示器山口阳平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日本显示器申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080094083.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由山口阳平设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：适合制造在电子电路中包括使用了多晶硅的元件和使用了氧化物半导体的元件这两者的半导体器件。在绝缘基板50上形成由多晶硅膜54形成的第1半导体区域，在第1半导体区域上层叠绝缘膜55、58。在绝缘膜55、58中形成接触孔63后，在绝缘膜58b的表面形成氧化物半导体膜82。在氧化物半导体膜82的表面形成蚀刻掩模84。使用该蚀刻掩模84对氧化物半导体膜82进行蚀刻，从接触孔63中除去氧化物半导体膜82，并且形成由氧化物半导体膜60形成的第2半导体区域。在接触孔63中埋入导电材料，形成与第1半导体区域电连接的接触电极62s、62d。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在绝缘基板上形成由多晶硅膜形成的第1半导体区域的工序； 在所述第1半导体区域上层叠绝缘膜的工序； 在所述绝缘膜中形成到达所述第1半导体区域的接触孔的工序； 在形成有所述接触孔的所述绝缘膜的表面形成氧化物半导体膜的工序； 在所述氧化物半导体膜的表面形成蚀刻掩模的工序； 使用所述蚀刻掩模对所述氧化物半导体膜进行蚀刻，从所述接触孔除去所述氧化物半导体膜，并且形成由所述氧化物半导体膜形成的第2半导体区域的蚀刻工序；和 在所述接触孔中埋入导电材料，形成与所述第1半导体区域电连接的接触电极的工序， 在所述蚀刻工序中，使用含有氢氟酸的蚀刻液进行所述氧化物半导体膜的蚀刻以及从所述接触孔除去所述氧化物半导体膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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