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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基板处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080085410.4，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权基板处理方法是由立花康三设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基板处理方法在说明书摘要公布了：整体上确保高蚀刻速率，同时实现基板整体的蚀刻量分布的均匀化。基板处理方法包括一边使基板旋转一边向所述基板的表面供给蚀刻液的第一蚀刻工序以及之后进行的第二蚀刻工序。第一蚀刻工序在使处于基板的表面的周缘侧的第二区域的蚀刻量比处于中心侧的第一区域的蚀刻量大的条件下进行，第二蚀刻工序在使第二区域的蚀刻量比第一区域的蚀刻量小的条件下进行。第二蚀刻工序是在通过向基板的背面的中心部供给温度调节用液体来使基板的温度比不供给温度调节用液体的情况下的温度高的条件下进行的。温度调节用液体一边被基板吸取热一边向基板的周缘扩展，由此使基板的表面的第一区域的温度高于第二区域的温度。

本发明授权基板处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，包括以下工序： 第一蚀刻工序，一边使基板旋转一边向所述基板的表面供给蚀刻液，在使处于所述基板的表面的周缘侧的区域即第二区域的蚀刻对象膜的蚀刻量比处于所述基板的表面的中心侧的区域即第一区域的蚀刻对象膜的蚀刻量大的条件下进行蚀刻；以及 第二蚀刻工序，在所述第一蚀刻工序之后，一边使所述基板旋转一边向所述基板的表面供给所述蚀刻液，在使处于所述基板的表面的所述第二区域的所述蚀刻对象膜的蚀刻量比处于所述基板的表面的所述第一区域的所述蚀刻对象膜的蚀刻量小的条件下进行蚀刻， 其中，所述第一蚀刻工序比所述第二蚀刻工序先进行， 所述第二蚀刻工序是在通过向所述基板的背面的中心部供给温度调节用液体来使所述基板的温度比不供给所述温度调节用液体的情况下的温度高的条件下进行的，在所述第二蚀刻工序中，所述温度调节用液体一边被所述基板吸取热一边向所述基板的周缘扩展，由此使所述基板的表面的所述第一区域的温度高于所述第二区域的温度， 所述第一蚀刻工序的蚀刻量与所述第二蚀刻工序的蚀刻量之和在所述基板的表面整体上与径向位置无关地固定。

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