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龙图腾网获悉浙江信唐智芯科技有限公司申请的专利基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112350679B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011332618.X，技术领域涉及：H03H3/007；该发明授权基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法是由高安明;姜伟;刘伟设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法，包括：电极、氮化铝压电薄膜层3以及绝缘体上硅SOI；所述电极包括：顶电极1；所述氮化铝压电薄膜层3以及绝缘体上硅SOI设置于顶电极1的下方；所述绝缘体上硅包括：单晶硅顶层4、绝缘二氧化硅中间层5、硅衬底层；所述硅衬底层的厚度大于设定阈值；所述绝缘二氧化硅中间层5的厚度小于设定阈值；所述单晶硅顶层4的厚度大于绝缘二氧化硅中间层5；所述单晶硅顶层4的厚度小于硅衬底层；本专利所提出的硅上压电薄膜结构结合了上述两类谐振器的优点，从而方便设计出同时具有高Q值和低动生阻抗的谐振器。

本发明授权基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器，其特征在于，包括：电极、氮化铝压电薄膜层（3）以及绝缘体上硅； 所述电极包括：顶电极（1）； 所述氮化铝压电薄膜层（3）以及绝缘体上硅设置于顶电极（1）的下方； 所述绝缘体上硅包括：单晶硅顶层（4）、绝缘二氧化硅中间层（5）、硅衬底层； 所述硅衬底层的厚度大于设定阈值； 所述绝缘二氧化硅中间层（5）的厚度小于设定阈值； 所述单晶硅顶层（4）的厚度大于绝缘二氧化硅中间层（5）； 所述单晶硅顶层（4）的厚度小于硅衬底层； 所述电极还包括：底电极（2）； 所述底电极（2）设置于顶电极（1）的下方； 所述底电极能够采用电性浮接； 所述底电极能够接地； 所述顶电极（1）采用以下任意一种结构： -环状结构； -同心圆环结构； 还包括：焊盘； 该环状结构被均等的分为四个部分，其中相对的四分之一部分相互连接并连接到一侧的焊盘上，施加在两个相邻四分之一部分的电信号将会有相反的相位，从而在氮化铝压电薄膜层中激励起lamb波谐振； 同心圆环结构中心的圆盘状电极与一端的焊盘相连，圆盘外围环绕的圆环与另一端的焊盘相连，当在两端焊盘施加存在电势差的信号时，产生的电场在氮化铝压电薄膜层中激励起lamb波谐振。

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