TCL科技集团股份有限公司何斯纳获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011316375.0，技术领域涉及：H10K50/16；该发明授权纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管是由何斯纳;吴龙佳;吴劲衡设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管。所述纳米材料具有核壳结构，其中核包括TiS2纳米颗粒，壳层包括金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒的带隙大于TiS2纳米颗粒的带隙。本发明纳米材料中，宽带隙的金属氧化物纳米颗粒可以有效的阻挡空穴从量子点发光层传输到阴极，从而确保了量子点发光层中电子和空穴的复合效率。以宽带隙金属氧化物纳米颗粒为壳层，包覆带隙相对较窄的TiS2纳米颗粒，提高了核壳结构纳米材料的稳定性，有利于改善电子的传输。金属氧化物纳米颗粒为壳层，可以填补TiS2纳米颗粒表面的硫空位，降低表面硫缺陷的形成，减少缺陷对电子的捕获，提高电子传输性能，增强器件的发光效率。
本发明授权纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料具有核壳结构，其中核由TiS2纳米颗粒组成，壳层由金属氧化物纳米颗粒组成，所述金属氧化物纳米颗粒的带隙大于TiS2纳米颗粒的带隙； 所述金属氧化物纳米颗粒包括TiO2纳米颗粒、ZnO纳米颗粒、SnO2纳米颗粒中的一种； 所述TiS2纳米颗粒和金属氧化物纳米颗粒的摩尔比为1：（0.3~0.6）。
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