中微半导体设备(上海)股份有限公司谢林获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114496693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011253024.X,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法是由谢林;杜杰设计研发完成,并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法在说明书摘要公布了:一种多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法,其中,所述多区加热装置包括:多个加热片;多个开关,每个开关连接一加热片并形成一加热单元;多个所述加热单元的两端分别连接一接地总线和一供电总线;多个控制信号线,每个控制信号线与一开关相连,用于输送所述开关工作占空比的控制信号,所述开关分别根据所述控制信号独立控制与之连接的所述加热片的工作时间。所述多区加热装置能够集成到等离子处理装置中的静电夹盘与基座之间,且能够减少外接导电线以减少滤波器的需求。
本发明授权多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法在权利要求书中公布了:1.一种等离子处理装置,其特征在于,包括:一等离子体反应腔,所述反应腔内设置有一下电极组件,所述下电极组件包括一基座和一静电夹盘,所述基座和静电夹盘之间设置一多区加热装置,所述下电极组件的多区加热装置用于对静电夹盘承载的基片进行多区温度调节; 所述多区加热装置,包括: 多个加热片; 多个开关,每个开关连接一加热片并形成一加热单元; 多个所述加热单元的两端分别连接一接地总线和一供电总线; 多个驱动信号线,每个驱动信号线与一开关相连,用于输送所述开关工作占空比的驱动信号,所述开关分别根据所述驱动信号独立控制与之连接的所述加热片的工作时间; 所述多区加热装置还包括多个驱动器,每个所述驱动器通过所述驱动信号线输送所述驱动信号至所述开关,所述多区加热装置还包括一控制总线,所述多个驱动器连接到所述控制总线输出的同一控制信号; 所述控制信号包括需要进行温度调整的加热单元坐标及调整幅度信息,所述多个驱动器用于识别并存储所述控制总线传输的同一控制信号,并将需要进行调整的驱动信号输送到对应的开关中; 所述基座下方还设置一设备板,所述驱动器位于所述基座和设备板之间; 所述接地总线和所述供电总线分别通过一个滤波器与非射频环境相连,所述等离子处理装置包括一控制器,所述控制器位于非射频环境,所述控制器输出的控制信号通过所述控制总线传输到所述驱动器,所述控制总线通过一个滤波器或者一光纤与所述位于非射频环境的控制器相连接。
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