旺宏电子股份有限公司李建颖获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011184317.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器元件是由李建颖;李智雄;韩宗廷设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器元件，包括：衬底、位于所述衬底上的叠层结构、接触窗以及支撑柱。所述叠层结构包括彼此交互叠层的多个导体层与多个绝缘层。接触窗与所述叠层结构的所述多个导体层之一连接。支撑柱贯穿所述叠层结构，设置在所述接触窗的周围。所述支撑柱包括主体部以及多个延伸部。所述主体部设置在所述接触窗的第一边周围。所述多个延伸部位于主体部两侧。每一延伸部的长度大于所述接触窗的宽度，所述多个延伸部之一设置于所述接触窗的所述第二边周围。
本发明授权存储器元件在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件，其中，包括： 衬底； 叠层结构，位于所述衬底上，其中所述叠层结构包括彼此交互叠层的多个导体层与多个绝缘层； 第一接触窗，与所述叠层结构的所述多个导体层之一连接；以及 第一支撑柱，贯穿所述叠层结构，设置在所述第一接触窗的第一边与第二边周围，所述第一支撑柱包括： 第一主体部，设置在所述第一接触窗的所述第一边周围；以及 多个第一延伸部，位于第一主体部两侧，每一第一延伸部的长度大于所述第一接触窗的宽度，所述多个第一延伸部之第一部分于设置于所述第一接触窗的所述第二边周围； 其中，所述叠层结构还包含多个牺牲层，所述多个牺牲层和所述多个绝缘层相互交替堆叠，所述第一支撑柱被设置为将所述多个牺牲层与所述多个导体层分隔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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