加利福尼亚大学董事会S.甘德罗图拉获国家专利权
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龙图腾网获悉加利福尼亚大学董事会申请的专利在外延横向过度生长区域的翼上制造用于垂直腔表面发射激光器的谐振腔和分布式布拉格反射器反射镜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080087526.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权在外延横向过度生长区域的翼上制造用于垂直腔表面发射激光器的谐振腔和分布式布拉格反射器反射镜的方法是由S.甘德罗图拉;神川刚;荒木正弘设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本在外延横向过度生长区域的翼上制造用于垂直腔表面发射激光器的谐振腔和分布式布拉格反射器反射镜的方法在说明书摘要公布了：一种使用外延横向过度生长ELO为诸如垂直腔表面发射激光器VCSEL的发光元件制造高质量且可制造的孔的方法。使用生长限制掩模在衬底上生长包括岛状III族氮化物半导体层的条，以及将岛状III族氮化物半导体层制造成横跨条的最小长度的发光谐振腔。谐振腔的孔也沿着外延横向过度生长的翼区域上的条的最小长度制造。分布式布拉格反射器DBR被制造为外延横向过度生长的翼区域的底部和顶部上的谐振腔的反射镜。
本发明授权在外延横向过度生长区域的翼上制造用于垂直腔表面发射激光器的谐振腔和分布式布拉格反射器反射镜的方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 使用主衬底在生长限制掩模上形成一个或多个外延横向过度生长ELOIII族氮化物层； 从所述主衬底移除所述ELOIII族氮化物层；以及 将用于垂直腔表面发射激光器VCSEL的谐振腔的一个或多个电介质分布式布拉格反射器DBR反射镜放置在移除的ELOIII族氮化物层的背侧上，位于所述被移除的ELOIII族氮化物层的翼区域处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人加利福尼亚大学董事会，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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