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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利消除晶圆翘曲的晶圆键合设备及键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011138916.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权消除晶圆翘曲的晶圆键合设备及键合方法是由霍进迁;龚燕飞设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本消除晶圆翘曲的晶圆键合设备及键合方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种消除晶圆翘曲的晶圆键合设备及键合方法，设备包括：光敏测距器件，用于通过光学信号的接收和反馈，确定第一、第二晶圆与光敏测距器件的距离分布，从而获取第一、第二晶圆的第一、第二翘曲分布值；吸附装置，包括多个吸附单元，根据第二晶圆需要补偿的吸附值，向第二晶圆给予吸附力，以定量补偿第二晶圆的形变量，使第一晶圆与第二晶圆的键合面保持相对平行。本发明根据上下两个晶圆的翘曲分布，对下卡盘不同区域接入相应的真空吸附孔，通过控制不同区域吸附孔的吸附值，机械改变底层晶圆的翘曲状况，使上下两个晶圆处于相对平行状态，使得在晶圆受力键合过程中，气泡和对准精度误差大大减少，提高键合工艺质量。

本发明授权消除晶圆翘曲的晶圆键合设备及键合方法在权利要求书中公布了：1.一种消除晶圆翘曲的晶圆键合设备，其特征在于，所述晶圆键合设备包括： 光敏测距器件，设置于第一晶圆及第二晶圆上方，用于通过光学信号的接收和反馈，确定第一晶圆与所述光敏测距器件的距离分布，以及确定第二晶圆与所述光敏测距器件的距离分布，从而获取所述第一晶圆的第一翘曲分布值及第二晶圆第二翘曲分布值，依据所述第一翘曲分布值及所述第二晶圆第二翘曲分布值，获取第二晶圆各个区域所需要改变的形变量，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方； 吸附装置，设置于第二晶圆下方，所述吸附装置包括真空吸盘，所述真空吸盘表面具有多个吸附孔，所述真空吸盘还包括多个真空腔体，各所述真空腔体包含一个或多个吸附孔，且各真空腔体内的真空度独立可调，所述吸附装置基于第二晶圆各个区域所需改变的型变量，自所述第二晶圆底部向所述第二晶圆给予吸附力，通过调节各个区域对应的真空腔体内的真空度以控制相应区域的吸附力，以定量补偿第二晶圆各个区域的形变量，使所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面保持相对平行； 其中，所述吸附力由以下公式获取： F＝k△x+B； 其中，F为吸附力，k为第二晶圆的弹性常数，B为固定常数。

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