英飞凌科技奥地利有限公司A·卡莫斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利窄半导体台面器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011102264.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权窄半导体台面器件是由A·卡莫斯设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本窄半导体台面器件在说明书摘要公布了：公开了窄半导体台面器件。在半导体本体中提供第一沟槽和第二沟槽。台面分隔结构被提供在第一沟槽和第二沟槽之间并且包括非半导体材料。第一半导体台面被提供在第一沟槽和台面分隔结构的非半导体材料之间。第一半导体台面包括发射极区、本体区和漂移区。第一沟槽和第二沟槽是通过掩模蚀刻技术形成的，具有最小沟槽分离距离，并且第一半导体台面被提供为具有小于最小沟槽分离距离的横向宽度。
本发明授权窄半导体台面器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底，其包括主表面和与主表面相对的背表面； 第一沟槽和第二沟槽，其在横向上彼此分离并且各自从主表面延伸到衬底中； 台面分隔结构，其在横向上在第一沟槽与第二沟槽之间，并且包括非半导体材料； 第一半导体台面，其在第一沟槽和台面分隔结构之间，第一半导体台面包括： 与第一沟槽的第一侧壁共同延伸的第一侧壁； 与台面分隔结构的非半导体材料直接相接的第二侧壁； 源极区，其延伸到主表面并且具有第一导电类型； 本体区，其在源极区下方并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；以及 漂移区，其在本体区下方并且具有第一导电类型； 其中，由第一半导体台面的横向宽度除以第一半导体台面的竖向深度所限定的第一半导体台面的宽高比小于或等于0.2， 其中台面分隔结构是通过在形成于第一沟槽和第二沟槽之间并且在横向上与第一沟槽分离的至少一个中心沟槽中执行绝缘体生长处理而形成的，其中绝缘体生长处理利用绝缘体材料填充所述至少一个中心沟槽并且消耗中心沟槽和第一沟槽之间的半导体材料。
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