东京毅力科创株式会社小山贤一获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072884.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造方法是由小山贤一;山内祥平;土桥和也;清水昭贵设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的课题在于，交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地缩短处理工序。本发明为一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将前述硅锗层的露出面的表层选择性地改性，形成氧化膜。
本发明授权基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法， 所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将所述硅锗层的露出面的表层选择性地改性，形成氧化膜， 其中，使用经等离子体化的包含含氮气体的第2处理气体，将所述氧化膜的至少表层改性，形成氮化膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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