恩特格里斯公司唐瀛获国家专利权
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龙图腾网获悉恩特格里斯公司申请的专利用于离子植入的等离子体浸渍方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071619.5，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权用于离子植入的等离子体浸渍方法是由唐瀛;B·C·亨德里克斯;O·比尔;S·N·叶达弗设计研发完成，并于2020-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于离子植入的等离子体浸渍方法在说明书摘要公布了：本发明涉及使用多种前驱物气体的等离子体浸渍离子植入方法，特別是出于相对于在植入过程中也植入工件内的其它原子物种，控制植入所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。
本发明授权用于离子植入的等离子体浸渍方法在权利要求书中公布了：1.一种离子植入方法，其包括： 将工件支撑在腔室中； 从包含第一前驱物及不同于所述第一前驱物的至少一种额外前驱物的前驱物混合物产生等离子体，其中所述等离子体包含至少两种不同的等离子体离子物种，及 其中所述至少两种不同的等离子体离子物种包括所选原子物种及一或多种额外原子物种； 向所述工件施加电势，使所述至少两种不同的等离子体离子物种朝向所述工件加速，以引起所述所选原子物种及所述一或多种额外原子物种植入到所述工件表面上； 其中所述至少一种额外前驱物引起增加量的所选原子物种植入到所述工件中，其中植入所述工件中的所述所选原子物种的量比通过缺少所述至少一种额外前驱物的方法植入的所述所选原子物种的量高至少5％。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恩特格里斯公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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