东京毅力科创株式会社千野光贵获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻氧化硅膜的方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010919630.4，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权蚀刻氧化硅膜的方法及等离子体处理装置是由千野光贵;山田哲史;昆泰光设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻氧化硅膜的方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：在公开的方法中，对在其上方设置有掩模的基板的氧化硅膜进行蚀刻。该方法包括使用由包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体的第1处理气体形成的第1等离子体对基板执行第1等离子体处理的工序。该方法还包括使用由包含碳氟化合物气体的第2处理气体形成的第2等离子体对基板执行第2等离子体处理的工序。执行第1等离子体处理期间的基板的温度低于执行第2等离子体处理期间的基板的温度。
本发明授权蚀刻氧化硅膜的方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻基板的氧化硅膜的方法，其中， 所述基板具有所述氧化硅膜及设置于该氧化硅膜上的掩模，该方法包括如下工序： a是使用由包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体的第1处理气体形成的第1等离子体对所述基板执行第1等离子体处理的工序，在执行该第1等离子体处理期间，将所述基板的温度设定为第1温度，该第1等离子体处理在所述掩模上沉积含碳物质且蚀刻所述氧化硅膜， b是在所述a之后，使用由包含碳氟化合物气体的第2处理气体形成的第2等离子体对所述基板执行第2等离子体处理的工序，在执行该第2等离子体处理期间，将所述基板的温度设定为第2温度，该第2等离子体处理在利用在所述a中形成的所述含碳物质保护所述掩模的状态下蚀刻所述氧化硅膜， 所述第1温度低于所述第2温度。
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