中国科学院大连化学物理研究所罗婷获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010904081.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法是由罗婷;任泽峰;曾维旺;杨学明设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法在说明书摘要公布了：本发明属于表面改性、半导体加工技术领域，特别涉及一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法。该方法包括以下四个步骤：1基片的预清洗；2等离子体活化处理，增大表面自由能；3形成表面连接层；4表面连接层的表征。本发明提供的一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法具有原料便宜易获得，操作简便，环境友好，与现有半导体制造工艺相兼容等优点。
本发明授权一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法，其特征在于包含以下步骤： 步骤一，基片的预清洗：将基片清洗干净； 步骤一中所述的基片为硅片，石英，云母，氧化铝，氧化钛，玻璃中的一种或二种以上； 步骤二，等离子体活化处理，增大基片的表面自由能； 对步骤一预清洗后的基片进行等离子体活化处理，等离子体处理条件为直接处理模式，频率40kHz~2.45GHz，功率1~1000W，处理腔内气压1mTorr~2Torr，处理时间0.1~120min； 等离子体气源为空气或氧气中的一种或二种； 步骤三，形成表面连接层； 将步骤二等离子体活化处理后的基片与表面改性剂接触，表面改性剂在活化的基片表面解离，形成亲水或疏水连接层； 所述步骤三中所述的表面改性剂包括水、C1-C12醇类中的一种或二种以上，于基片表面形成具有亲水性或疏水性的连接层。
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