上海华力微电子有限公司田志获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114076565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010831333.4，技术领域涉及：G01B7/26；该发明授权CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法是由田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法，通过同样版图面积的平面型和垂直型栅极的结合，通过平面型测试得到参照CMOS图像传感器转移管的平面型栅极多晶硅有效电学厚度EOT，通过垂直型测试得到待测CMOS图像传感器转移管的垂直栅极结构的电容CoxVTG，然后据此计算出待测CMOS图像传感器转移管垂直栅极的等效深度，有效监测垂直栅极深度，可以实现在不破坏硅片的情况下进行在线监测所有CMOS图像传感器的转移管栅极深度，便于及时发现转移管栅极深度异常，有效监测CMOS图像传感器的产品质量。
本发明授权CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法，待测CMOS图像传感器转移管的垂直型栅极多晶硅包括一平板部及n个垂直柱体，n为正整数；所述平板部形成在第一类型掺杂外延层表面；n个垂直柱体上端接平板部，形成在第一类型掺杂外延层之中；其特征在于，检测方法包括以下步骤： 一.检测参照CMOS图像传感器转移管的平面型栅极多晶硅有效电学厚度EOT,参照CMOS图像传感器转移管的栅极多晶硅形成在第一类型掺杂外延层表面，并且与所述待测CMOS图像传感器转移管的垂直型栅极多晶硅的平板部横截面形状相同； 检测待测CMOS图像传感器转移管的垂直栅极结构的电容CoxVTG； 二.计算得到待测CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度H， ε0为真空介电常数；εr为相对介电常数；W为平板部横截面面积；w为垂直型栅极多晶硅的一垂直柱体的横截面周长。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力微电子有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区高斯路568号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号