群联电子股份有限公司陈秉正获国家专利权
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龙图腾网获悉群联电子股份有限公司申请的专利数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114077515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010794976.6，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置是由陈秉正设计研发完成，并于2020-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。所述方法包括：从主机系统接收第一数据及第二数据；根据所述第一数据产生第一阵列错误校正码，并根据所述第二数据产生第二阵列错误校正码；使用第一程序化模式将包括所述第一阵列错误校正码的第一群组程序化至第一芯片致能群组中；以及使用第二程序化模式将包括所述第二阵列错误校正码的第二群组程序化至所述第二芯片致能群组中。
本发明授权数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置在权利要求书中公布了：1.一种数据写入方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个管理单元，所述多个管理单元包括多个芯片致能群组，所述多个芯片致能群组分别通过芯片致能脚位来致能，所述多个芯片致能群组包括第一芯片致能群组及第二芯片致能群组，且所述数据写入方法包括： 从主机系统接收第一数据及第二数据； 根据所述第一数据产生第一阵列错误校正码，并根据所述第二数据产生第二阵列错误校正码； 使用第一模式并基于第一物理单元使用顺序将包括所述第一阵列错误校正码的数据写入至所述第一芯片致能群组中；以及 使用第二模式并基于第二物理单元使用顺序将包括所述第二阵列错误校正码的数据写入至所述第二芯片致能群组中，所述第二模式不同于所述第一模式，且所述第一物理单元使用顺序与所述第二物理单元使用顺序彼此反向， 其中所述第一阵列错误校正码及所述第二阵列错误校正码分别用以校正所述第一数据及所述第二数据。
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