中微半导体设备(上海)股份有限公司王晓雯获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010701999.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种半导体结构的形成方法是由王晓雯;王乔慈;赵军;王兆祥设计研发完成，并于2020-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底，基底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区的基底内分别具有至少一个开口，所述开口内具有涂层，其中，第一区涂层的厚度小于第二区涂层的厚度；向所述涂层的表面通入刻蚀气体、沉积气体和稀释气体，对涂层进行处理；所述稀释气体用于促进聚合物在第一区开口内的沉积速率大于基底表面的沉积速率，以缩小第一区涂层与第二区涂层的厚度差。利用所述方法能够降低第一区与第二区涂层的厚度差。
本发明授权一种半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区的基底内分别具有至少一个开口，所述开口内具有涂层，其中，第一区涂层的厚度小于第二区涂层的厚度； 向所述涂层的表面通入刻蚀气体、沉积气体和稀释气体，对涂层进行处理，其中，所述刻蚀气体用于消耗所述涂层，所述沉积气体用于形成聚合物沉积下来，所述的稀释气体用于促进聚合物在第一区开口内的沉积速率大于基底表面的沉积速率，以缩小第一区涂层与第二区涂层的厚度差； 所述第一区的开口尺寸与第二区的开口尺寸相等，所述第一区的开口个数大于等于第二区的开口个数。
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