三星电子株式会社李奉镕获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利竖直半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010528944.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权竖直半导体装置及其制造方法是由李奉镕;金泰勋;裴敏敬;禹明勋;黄斗熙设计研发完成，并于2020-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本竖直半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种竖直半导体装置及其制造方法。所述竖直半导体装置包括：共源半导体层，其位于衬底上；支撑层，其位于共源半导体层上；交替地堆叠在支撑层上的栅极和层间绝缘层；沟道图案，其在与衬底的上表面垂直的第一方向上延伸，同时穿过栅极和支撑层，支撑层的面对沟道图案的侧壁相对于栅极的面对沟道图案的侧壁偏移；以及信息存储层，其在栅极与沟道图案之间延伸，信息存储层至少延伸到支撑层的面对沟道图案的侧壁。
本发明授权竖直半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种竖直半导体装置，包括： 共源半导体层，其位于衬底上； 支撑层，其位于所述共源半导体层上； 交替地堆叠在所述支撑层上的栅极和层间绝缘层； 沟道图案，其在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸，同时穿过所述栅极和所述支撑层，所述支撑层的面对所述沟道图案的侧壁相对于所述栅极的面对所述沟道图案的侧壁偏移；以及 信息存储层，其在所述栅极与所述沟道图案之间延伸，所述信息存储层至少延伸到所述支撑层的面对所述沟道图案的侧壁， 其中，所述沟道图案包括在所述支撑层的横向方向上朝向所述支撑层突出的沟道图案延伸部，并且在所述第一方向上，所述共源半导体层的最上端的水平高度等于或低于所述沟道图案延伸部的下表面的水平高度， 其中，所述沟道图案延伸部在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且所述沟道图案延伸部在所述第一方向上的厚度是位于所述栅极的侧边处的所述沟道图案沿着所述第二方向的厚度的两倍以上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号