三星电子株式会社郑光泳获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010516756.7，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权非易失性存储器件是由郑光泳;金钟源;孙荣晥;韩智勋设计研发完成，并于2020-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器件在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器件包括：模制结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅电极；半导体图案，穿透模制结构并接触衬底；第一电荷存储膜；以及与第一电荷存储膜分隔开的第二电荷存储膜。第一电荷存储膜和第二电荷存储膜设置在每个栅电极与半导体图案之间。每个栅电极包括分别从栅电极的侧表面向内凹陷的第一凹部和第二凹部。第一电荷存储膜填充第一凹部的至少一部分，第二电荷存储膜填充第二凹部的至少一部分。
本发明授权非易失性存储器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件，包括： 模制结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅电极； 半导体图案，穿透所述模制结构并接触所述衬底； 第一电荷存储膜；以及 与所述第一电荷存储膜分隔开的第二电荷存储膜， 其中所述第一电荷存储膜和所述第二电荷存储膜设置在每个所述栅电极与所述半导体图案之间， 其中每个所述栅电极包括分别从所述栅电极的侧表面向内凹陷的第一凹部和第二凹部，并且 所述第一电荷存储膜填充所述第一凹部的至少一部分，所述第二电荷存储膜填充所述第二凹部的至少一部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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