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龙图腾网获悉中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请的专利一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010031070.9，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器及其制备方法是由冷重钱;申钧;聂长斌;张之胜;杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞设计研发完成，并于2020-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器及其制备方法，该光电探测器结构为：绝缘衬底、金属电极、石墨烯导电沟道和半导体吸光层。发明提出的基于超短沟道石墨烯的光电探测器，利用聚焦氦离子束加工亚10纳米石墨烯导电沟道，可提高石墨烯载流子迁移率，实现超短的渡越时间；同时，石墨烯半导体复合结构有效地提升载流子分离效率，增大载流子的寿命。通过充分发挥石墨烯高迁移率和复合结构有效分离载流子的优势，实现高增益的光电探测器。本发明提供的光电探测器具有轻薄、增益高、响应度大、工艺重复性佳、易集成等优点，可应用于微弱光探测，是一种极具实用性的光电探测器结构。

本发明授权一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器的制备方法，其特征在于，基于超短沟道石墨烯的光电探测器从下往上依次包括：绝缘衬底；建立在所述绝缘衬底上的金属电极，该金属电极包括金属大电极和亚10纳米沟道电极，用于测试时探针接触的金属大电极与决定沟道线宽的亚10纳米沟道电极相连接；覆盖所述沟道电极的石墨烯导电沟道层；位于所述导电沟道上方的半导体吸光层； 所述制备方法包括以下步骤： （1）在衬底表面沉积金属形成金属电极； （2）石墨烯薄膜的制备、转移及图形化； （3）在所述石墨烯薄膜上设置半导体吸光层； 步骤1所述的金属电极形成包括：通过电子束蒸镀得到金属大电极，基于双层胶剥离工艺进行结构化，首先旋涂双层光刻胶，曝光显影留下胶结构，然后蒸镀沉积金属薄膜，使用丙酮去除光刻胶，光刻胶表面的金属薄膜一并剥离掉，最终形成金属大电极，采用溅射法制备超薄金属，基于pA级小束流聚焦氦离子束加工技术实现亚10纳米的电极间距，最终形成沟道电极。

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