中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司姜勇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司申请的专利用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113122825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911405406.7，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置是由姜勇;汪国元设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置在说明书摘要公布了：一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置，其中，所述托盘包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。利用所述化学气相沉积装置有利于提高在晶圆边缘生长外延层的一致性。
本发明授权用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种用于化学气相沉积装置的托盘，其特征在于，包括： 托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离，所述第二距离大于待处理基片的直径，所述待处理基片具有缺口，所述缺口朝向远心段，当所述托盘沿其中心轴转动时，所述待处理基片不受近心段的限制，在离心力的作用下所述缺口周围的待处理基片与所述远心段接触，且所述第一补偿段位于所述近心段与所述接触处之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号