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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利一种高频响应功率三极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510928367.8，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种高频响应功率三极管的制备方法是由马奕勉设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高频响应功率三极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体地说，涉及一种高频响应功率三极管的制备方法。首先，采用电阻率1000Ω·cm的N+硅衬底生长N‑漂移层，通过ICP刻蚀深度12μm、深宽比5.9:1的隔离槽，填充SiO2Si3N4复合介质层扩展耗尽层至18.5μm，使集电结电容降至68pF且击穿电压达205V。其次，在正面形成叉指发射极，背面减薄至100±2μm后激光钻孔，脉冲电镀铜填充通孔，铜柱阵列将回路电感压缩至2.7nH。最后，溅射TiNiAu过渡层，热压键合金刚石‑铜复合基板，界面形成80nmTiC相，热导率达635Wm·K，热阻降至0.61KW。本发明优化电容、电感、热阻，开关损耗降低57.8%，功率密度提升至51.2Wcm2，适用于MHz级高频功率系统。

本发明授权一种高频响应功率三极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高频响应功率三极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、采用电阻率＞1000Ω·cm的N+型硅衬底，厚度：600-700μm，在衬底正面生长N-型漂移层，厚度：9.7-10.3μm，掺杂浓度：4.8-5.2×1014cm-3）； 通过ICP刻蚀形成深度11.5-12.5μm、深宽比5.9：1的隔离槽，槽内填充SiO2Si3N4复合介质层，厚度比2：1； S2、在器件正面形成叉指状发射极金属层，指宽：9.8-10.2μm，间距：14.7-15.3μm； 背面减薄至98-102μm后，激光钻孔形成直径9.7-10.3μm的通孔阵列，孔密度：380-420孔mm2； 脉冲电镀铜填充通孔形成铜柱，电镀液含聚乙二醇和二硫二丙烷磺酸钠； S3、在铜柱表面溅射TiNiAu过渡层； 热压键合金刚石-铜复合散热衬底，金刚石体积分数：52-58%，金刚石表面溅射TiMo金属化层，键合温度：445-455℃，压力：1.5-15.5MPa。

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