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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120173514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510212312.7，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法是由高尚;董志刚;宋鑫;邹逸然;康仁科设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法，成分包括氧化硅磨料、催化剂、催化剂活化剂、分散剂、氧化剂、pH调节剂和去离子水，pH为8.5～11.0；各组分按重量百分比如下：氧化硅磨料：5wt.％～20wt.％、催化剂：1wt.％～5wt.％、催化剂活化剂：0.1wt.％～2wt.％、分散剂：0.1wt.％～1wt.％、氧化剂：0.5wt.％～5wt.％、pH调节剂：0.1wt.％～0.5wt.％，其余为去离子水。本发明制备的抛光液具有更高的加工效率和更好的表面质量，其组分简单，制备容易，抛光过程中不易结晶，不易起泡，对机台无腐蚀作用，经济效益好，易存放，可循环使用，使用完毕方便清理，具有良好的工艺性能，适用于碳化硅晶圆衬底表面的亚纳米级抛光。

本发明授权一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅CMP精抛抛光液，其特征在于，成分包括二氧化硅磨料、催化剂、催化剂活化剂、分散剂、氧化剂、pH调节剂和去离子水，pH为8.5~11.0；各组分按重量百分比如下：二氧化硅磨料：5wt.%~20wt.%、催化剂：1wt.%~5wt.%、催化剂活化剂：0.1wt.%~2wt.%、分散剂：0.1wt.%~1wt.%、氧化剂：0.5wt.%~5wt.%、pH调节剂：0.1wt.%~0.5wt.%，其余为去离子水； 所述催化剂为钒酸钙、钒酸铵、偏钒酸钠、钒酸三钾、钒酸铵钠、正钒酸钠、钒酸锂、钒酸铅、钒酸锰中的一种或几种的混合； 所述催化剂活化剂为五氧化二铌、二氧化铌、草酸铌、铌酸钠、铌酸钾、五氯化铌、氢氧化铌、铌酸铵草酸盐水合物、溴化铌、铌酸铜、铌酸锂中的一种或几种的混合； 所述分散剂为乙醇、六偏磷酸钠、果糖分子、十六烷甲基溴化铵、柠檬酸、聚乙烯吡咯烷酮PVP、聚丙烯酸铵和聚乙烯亚胺PEI中的一种或几种的混合； 所述氧化剂为双氧水。

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