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龙图腾网获悉迈睿捷(南京)半导体科技有限公司申请的专利一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510119213.4，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法是由原凡彬;金天明;何健;刘坤;袁亮设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，解决了传统静电吸盘无法适用于复杂的刻蚀工艺环境，同时难以精确控制静电吸盘表面各处温度的技术问题，尤其涉及一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法，包括划分区域、获取实时的温度数据、建立初始数学模型、优化初始数学模型、计算目标流速以及循环时间、反馈至冷却系统实现自适应控制。本发明能够在复杂的刻蚀工艺环境下，更加精确地控制冷却介质的流速，实现对静电吸盘温度的高效、稳定自适应控制，提高半导体刻蚀工艺的质量和可靠性，减少因温度波动导致的晶圆缺陷，为半导体制造产业提供了一种先进的温度控制技术解决方案。

本发明授权一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种温度自适应控制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： S1、将静电吸盘的基台以中轴线为起点向其外侧边缘等区域划分至少三个区域，形成等面积的内层区、中层区以及外层区，且内层区、中层区以及外层区中分别布设独立的温度传感器以及冷却管道； S2、获取内层区、中层区和外层区实时的温度数据，并进行预处理得到无噪声的温度数据； S3、建立用以反映在半导体刻蚀过程中冷却介质流速v与温度差ΔT之间近似关系的初始数学模型； S4、基于在单位时间Δt内，液体放出热量QΔt等于对流换热带走热量ΔQ对初始数学模型进行优化，用以反映在半导体刻蚀过程中冷却介质流速v与温度差ΔT之间的精确关系；具体过程包括以下步骤： S41、建立单位时间Δt内液体放出热量QΔt等于对流换热带走热量ΔQ的初始方程，即： QΔt＝ΔQ Q＝hAΔT 式中，g为热传递系数；A为冷却管道与基台接触的热交换面积； S42、计算单位时间Δt内冷却介质对流换热带走的热量ΔQ，计算公式为： 式中，cp为冷却介质的比热容；m为冷却介质的质量；t为冷却介质的循环时间； S43、将热量ΔQ带入初始方程中得到精确方程，即： S44、根据精确方程确定在层流状态下，半导体刻蚀过程中冷却介质流速v与温度差ΔT之间的精确关系； S45、根据精确方程确定在湍流状态下，半导体刻蚀过程中冷却介质流速v与温度差ΔT之间的精确关系； S5、在精确关系下，根据实时获取的温度数据计算冷却介质在冷却管道中循环，使内层区、中层区和外层区之间温度差ΔT趋于接近的目标流速v`以及循环时间t； S6、将目标流速v`和循环时间t反馈至冷却系统用于调节输出功率实现自适应控制。

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