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龙图腾网获悉芯百特微电子(无锡)有限公司申请的专利一种用于射频功率放大器的动态偏置电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120049840B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105701.X，技术领域涉及：H03F1/08；该发明授权一种用于射频功率放大器的动态偏置电路及方法是由许育森;张海涛;张泽洲设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于射频功率放大器的动态偏置电路及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及无线数字通信技术领域，具体提供了一种用于射频功率放大器的动态偏置电路及方法，所述电路包括LDO模块和动态控制模块，LDO模块采用一个运算放大器AMP和一个晶体管MP，动态控制模块采用一个OSC、由若干第一D触发器串联构成的触发器组、一个第二D触发器、一个第三D触发器；所述方法将射频功率放大器的输出过程按照时间关系划分节点T0、T1、T2、T3，T0‑T1为preheat阶段、T1‑T2为preheat稳定阶段、T2‑T3为postheat阶段；本发明通过优化设计动态偏置电路，引入preheat使预热和postheat后热两个阶段的动态控制，通过动态偏置电路实现的vreg电压的动态调整，极大改善射频功率放大器输出功率随时间的平坦度，改善PA在动态条件下的误差向量幅度表现性能，提高PA线形指标。

本发明授权一种用于射频功率放大器的动态偏置电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于射频功率放大器的动态偏置电路，其特征在于，所述电路包括LDO模块和动态控制模块； 所述LDO模块采用一个运算放大器AMP和一个晶体管MP，运算放大器AMP的反相输入端接入vref电压、正相输入端连接连接晶体管MP的集电极、输出端连接晶体管MP的基极，晶体管MP的发射极接高电平、集电极接地；所述LDO模块还包括预热单元和后热单元，所述预热单元采用一个晶体管M1_pre，晶体管M1_pre的集电极接入参考电流Iref_pre、发射极接地、基极连接运算放大器AMP的正相输入端；后热单元采用一个晶体管M1_pos，晶体管M1_pos的集电极接入参考电流Iref_pos、发射极接地、基极连接运算放大器AMP的正相输入端； 在所述晶体管MP的集电极产生PA的vreg电压； 所述动态控制模块采用一个OSC、由若干第一D触发器串联构成的触发器组、一个第二D触发器、一个第三D触发器，OSC用于产生周期性的方波信号，触发器组用于将OSC产生时钟周期拉长为2nT，其中T为时间，n为第一D触发器的串联个数；所述第二D触发器的D端接高电平、Q端输出preheat_off信号，第三D触发器的D端接高电平、Q端输出postheat_on信号，第二D触发器并联在触发器组位于n2处的第一D触发器上、第三D触发器并联在触发器组位于末端处的第一D触发器上。

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