南宁桂电电子科技研究院有限公司;桂林电子科技大学蔡平获国家专利权
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龙图腾网获悉南宁桂电电子科技研究院有限公司;桂林电子科技大学申请的专利一种基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510043872.4，技术领域涉及：H01G11/30；该发明授权一种基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极及其制备方法是由蔡平;胡海清;李思远;高瑞祥;张焕芝设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极，由MXene胶体溶液和钛氧团簇前驱体分散液混合反应形成MXene纳米片团簇，然后掺杂到MXene胶体溶液中得到；其中，所述钛氧团簇前驱体分散液由TiOiPr4、苯甲酸和金属离子分散液混合反应得到；所述MXene纳米片团簇中，钛氧团簇原位生长在MXene纳米片上；所述钛氧团簇为笼状簇。本发明提供了一种在酸性条件能与MXene稳定结合存在的MOF类型，缓解了二维MXene纳米片重新堆叠的问题，同时也提供了更多的活性位点从而提高其电化学活性，促进了柔性薄膜电极在柔性可穿戴电子产品中的应用。
本发明授权一种基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极，其特征在于，所述基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极由MXene胶体溶液和钛氧团簇前驱体分散液混合反应形成MXene纳米片团簇，然后掺杂到MXene胶体溶液中得到； 其中， 所述钛氧团簇前驱体分散液由TiOiPr4、苯甲酸和金属离子分散液混合反应得到； 所述MXene纳米片团簇中，钛氧团簇原位生长在MXene纳米片上； 所述钛氧团簇为笼状簇； 所述基于钛氧团簇和金属离子配合物修饰MXene的柔性自支撑薄膜电极为多层结构，层间距范围为5.91-6.33μm； 所述金属离子分散液包括金属离子，所述金属离子选自镧系、锕系或过渡金属中的一种或多种。
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