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龙图腾网获悉深圳市中顺半导体照明有限公司申请的专利一种高光效LED发光半导体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510019802.5，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权一种高光效LED发光半导体及其制备方法是由朱富斌;刘文军;谭亮;邓文峰;曾奎;李长根设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高光效LED发光半导体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于LED技术领域，解决现有技术中LED存在光效差的问题，提供了一种高光效LED发光半导体及其制备方法，其包括：激发芯片和荧光粉。所述荧光粉包括第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉，所述第一荧光粉的峰值波长位于第一波长区间内，所述第二荧光粉的峰值波长位于第二波长区间内，所述第三荧光粉的峰值波长位于第三波长区间内；所述第一波长区间为540‑550nm，所述第二波长区间为625‑635nm，所述第三波长区间为615‑620nm；所述LED激发芯片的主波长位于第四波长区间，所述第四波长区间为440‑470nm。本发明通过芯片和荧光粉的协同，使得获得的LED发光半导体具有更高的光效和稳定性。

本发明授权一种高光效LED发光半导体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光效LED发光半导体的制备方法，其特征在于，所述高光效LED发光半导体包括： LED激发芯片； 荧光粉； 所述荧光粉包括第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉，所述第一荧光粉的峰值波长位于第一波长区间内，所述第二荧光粉的峰值波长位于第二波长区间内，所述第三荧光粉的峰值波长位于第三波长区间内；所述第一波长区间为545-556nm，所述第二波长区间为630-634nm，所述第三波长区间为615-617nm； 所述LED激发芯片的主波长位于第四波长区间，所述第四波长区间为440-470nm； 所述制备方法包括： 将按第一预设比例称量的第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉置于搅拌容器中均匀混合，得到荧光粉混合物； 根据第二预设比例，将荧光粉混合物加入LED封装胶中，继续搅拌得到混合胶体； 响应于混合胶体的第一分光测试结果满足第一预设条件，根据预设旋涂参数，将所述混合胶体均匀涂覆在所述LED激发芯片的表面，形成荧光涂层； 响应于荧光涂层的第二分光测试结果满足第二预设条件，根据预设固化条件，将具有荧光涂层的LED激发芯片进行固化，得到初始发光半导体； 若所述初始发光半导体的第三分光测试结果不满足预设成品分光条件，根据所述第一分光测试结果、第二分光测试结果以及第三分光测试结果，对所述第一预设比例、第二预设比例、所述预设旋涂参数和预设固化条件中的一种或多种进行调整； 若所述初始发光半导体的第三分光测试结果满足预设成品分光条件，将所述初始发光半导体作为目标发光半导体。

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