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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于大功率TVS的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879583.X，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种用于大功率TVS的封装结构是由齐钊;李俊科;郝锦鹏;陈泓全;贾义睿;乔明;张波设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于大功率TVS的封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于大功率TVS的封装结构，包括：基板材料；堆叠的各层芯片及其pad区；在各芯片层两侧边缘的pad区内存在的使用TVS技术制造的通孔区；在底层芯片与基板间，以及各层芯片通孔层间，存在的用于形成电气连接的层间焊球；在基板与第一芯片层间、各芯片层间存在的粘连各层芯片且提供支撑的胶体区；以及在基板与第一层焊球的接触处存在的用于形成封装后电极的电极区。本发明通过引入TSV技术，避免了传统引线键合封装模式带来的封装面积增大、器件可靠度下降等问题，进一步提升了在相同的封装面积下堆叠更多层芯片的潜力。

本发明授权一种用于大功率TVS的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种用于大功率TVS的封装结构，其特征在于：包括TVS器件区01，阳极pad区02、阴极pad区03； Line1为垂直于芯片pad方向、连接阴极第四通孔区中心和阳极第四通孔区中心的连线；沿着Line1展开，得到该封装器件的纵截面，包括： 基板801；基板801位于整个结构的最底部，用作为封装的底座； 在基板801上堆叠了五层芯片，从下到上依次为芯片层A101、芯片层B102、芯片层C103、芯片层D104、芯片层E105； 在各芯片层两侧边缘的pad区内存在使用TVS方法制造的通孔区，左侧阳极通孔区和右侧阴极通孔区，包括：芯片层A的阳极第四通孔区214和阴极第四通孔区414、芯片层B的阳极第四通孔区224和阴极第四通孔区424、芯片层C的阳极第四通孔区234和阴极第四通孔区434、芯片层D的阳极第四通孔区244和阴极第四通孔区444、芯片层E的阳极第四通孔区254和阴极第四通孔区454； 在各层芯片pad边缘的通孔层间，存在与各层芯片通孔形成电气连接的层间焊球，左侧阳极焊球和右侧阴极焊球，包括：芯片层A和基板之间的阳极第四焊球314，芯片层A和基板之间的阴极第四焊球514，芯片层B和芯片层A之间的阳极第四焊球324，芯片层B和芯片层A之间的阴极第四焊球524，芯片层C和芯片层B之间的阳极第四焊球334，芯片层C和芯片层B之间的阴极第四焊球534，芯片层D和芯片层C之间的阳极第四焊球344，芯片层D和芯片层C之间的阴极第四焊球544，芯片层E和芯片层D之间的阳极第四焊球354，芯片层E和芯片层D之间的阴极第四焊球554； 在基板801与第一芯片层101间、各芯片层间存在粘连各层芯片且提供支撑的胶体区，从下到上依次为第一层胶体区601至第五层胶体区605； 在芯片层A和基板之间的阳极第四焊球314与基板801接触处存在一个用于形成封装后电极的阳极电极区701，在芯片层A和基板之间的阴极第四焊球514与基板801接触处存在一个用于形成封装后电极的阴极电极区702。

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