长春理工大学;北京理工大学;中国人民解放军国防科技大学郝群获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学;北京理工大学;中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411727075.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法是由郝群;陈梦璐;石峰;赵雪;彭星;乔冬阳设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法，属于SiC表面抛光技术领域。本发明的原位生长有量子点牺牲层的SiC材料的制备方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液；将所述CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有量子点牺牲层的SiC材料。本发明提出了一种基于量子点耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法，将量子点层作为SiC晶圆的牺牲层，不仅可以有效降低牺牲层厚度，显著改善SiC表面的平整度，也可以实现良好的荧光标记效果。本发明制得的CsPbBr3量子点具有极小的纳米尺寸，能够深入填充SiC晶圆表面的微裂纹和微纳划痕，与SiC晶圆表面的微裂痕完全耦合，实现对缺陷的精准填补。
本发明授权一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种原位生长量子点牺牲层的SiC材料的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： Ar气气氛中，对所述原位生长有量子点牺牲层的SiC材料进行脉冲离子束抛光，得到抛光后的SiC材料； 所述脉冲离子束抛光的参数为：离子束速率功率110W，屏栅电压800V，加速栅电压110V，屏栅电流18mA，中和器电流158mA，Ar气流量20SCCM，抛光时间1-2min； 原位生长有量子点牺牲层的SiC材料的制备方法包括以下步骤： （1）将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液； （2）将所述CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有量子点牺牲层的SiC材料； 所述铅源为PbBr2；所述铯源CsBr；所述铅源和铯源的摩尔比为0.9-1.1。
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