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大理宸宇储能新材料有限公司;中南大学张亚光获国家专利权

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龙图腾网获悉大理宸宇储能新材料有限公司;中南大学申请的专利MSe/Si/C复合材料、硅负极及其制备和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119503736B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411683261.8,技术领域涉及:C01B19/04;该发明授权MSe/Si/C复合材料、硅负极及其制备和应用是由张亚光;王鹏;胡建军;郑志成;周向阳设计研发完成,并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

MSe/Si/C复合材料、硅负极及其制备和应用在说明书摘要公布了:本发明属于硅负极电池材料领域,具体公开了一种MSeSiC复合材料的制备方法,将M‑MOF和硒源混合进行焙烧反应,得到MSeC产物;再将MSeC在硅源气氛中进行气相沉积处理,制得MSeSiC复合材料;所述的M为过渡金属元素;所述的M‑MOF为过渡金属元素的金属框架材料。本发明还提供了所述的制备方法制得的材料及其在电池中的应用。本发明工艺可以诱导硅的均匀、有效沉积,有助于可以在充放电阶段原位构建M、Li2Se的电子以及离子传导网络,有助于改善材料的低温快充性能。

本发明授权MSe/Si/C复合材料、硅负极及其制备和应用在权利要求书中公布了:1.一种MSeSiC复合材料的制备方法,其特征在于,将M-MOF和硒源混合进行焙烧反应,得到MSeC产物;再将MSeC在硅源气氛中进行气相沉积处理,制得MSeSiC复合材料; 所述的M为Zn、Mn中的至少一种;所述的M-MOF为过渡金属元素的金属框架材料,其中,所述的M-MOF为ZIF-67、ZIF-8、MOF-74中的至少一种;所述的M-MOF和硒源的重量比为1:0.1~1.5;焙烧的温度为600~1000℃; 所述的硅源气氛包含硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷中的至少一种含硅功能气; 所述的气相沉积的温度为450~700℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人大理宸宇储能新材料有限公司;中南大学,其通讯地址为:672199 云南省大理白族自治州祥云县祥城镇财富工业园区烟坡片区工业大道东侧;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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