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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利闪存控制器芯片多核同步性能测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724318B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411620502.4，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权闪存控制器芯片多核同步性能测试方法是由徐源长;唐汉钊;刘浩旭;曹成;王璞;郭鹏;衣瑞刚设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存控制器芯片多核同步性能测试方法在说明书摘要公布了：一种闪存控制器芯片多核同步性能测试方法，涉及闪存技术领域，采用多个测试核按照一定同步机制给闪存控制器驱动核（后端核）发命令的方式代替单个测试核发命令，可提升测试激励的压力密度，减少4K随机读等性能指标的测试过程中因对处理器算力不足引入的误差，当测试程序固件运行在多个处理器核上时，能缓解单个核压力不足的问题。

本发明授权闪存控制器芯片多核同步性能测试方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存控制器芯片多核同步性能测试方法，其特征在于，包括： S1.将多核闪存控制器SoC芯片的个处理器核心作为运行闪存控制器驱动程序的后端核，将多核闪存控制器SoC芯片的另外个处理器核心作为运行闪存性能测试程序的测试核，为多核闪存控制器SoC芯片的处理器核心数； S2.闪存控制芯片上电，其中一个测试核作为主测试核，主测试核进行多核同步测试信息初始化，其余测试核处于等待状态，多核同步测试信息为一组顺序排列的全局结构体，每个测试核对应一个全局结构体，全局结构体的内容包括当前测试核的同步测试开始标志位、同步测试开始的时间戳、同步测试结束标志位、同步测试结束的时间戳、测试命令类型、数据量； S3.测试核与后端核均启动且就绪后，上位机向多核闪存控制器SoC芯片传送测试命令； S4.多核闪存控制器SoC芯片收到上位机下发的测试命令后，主测试核将测试命令转发到被指定参与多核同步测试的各个测试核中； S5.测试核接收到测试命令后生成闪存读写测试命令序列； S6.闪存读写测试命令序列准备完毕后，每个测试核根据自身对应的全局结构体的同步测试开始标志位轮询检测其它测试核的同步测试开始标志位是否置位； S7.当各个测试核的同步测试开始标志位均置位后，将所有测试核从等待状态中恢复运行，如果测试核在轮询检测时的等待时间超过预设超时阈值且各个测试核的同步测试开始标志位均未置位，则各个测试核结束等待状态； S8.各个测试核各自独立地向对应的后端核发送闪存读写命令。

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