研微(江苏)半导体科技有限公司严怀余获国家专利权
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龙图腾网获悉研微(江苏)半导体科技有限公司申请的专利半导体反应腔室及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119491203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411593022.3，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权半导体反应腔室及其使用方法是由严怀余;秦志坚;高培培设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体反应腔室及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体反应腔室及其使用方法，其中半导体反应腔室包括腔体和进气法兰，腔体包括腔体本体和固定至腔体本体的一侧的腔室法兰，腔体本体内部设置有导流板及与导流板相邻且位于导流板下游侧的预热环，位于导流板和预热环的上方区域为腔体上腔，位于导流板和预热环的下方区域为腔体下腔；进气法兰位于腔室法兰的远离腔体本体的一侧，进气法兰具有传片口和进气通道；传片口与腔体下腔连通，进气通道设置在进气法兰内部且位于传片口上方，进气通道的出气口连通至腔体上腔。本发明腔室的衬底入腔方式为下腔传输，提高了薄膜沉积质量，且减少了沉积反应气体的使用量。
本发明授权半导体反应腔室及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括： 腔体，所述腔体包括腔体本体和固定至所述腔体本体的一侧的腔室法兰，所述腔体本体内部设置有导流板及与所述导流板相邻且位于所述导流板下游侧的预热环，位于所述导流板和所述预热环的上方区域为腔体上腔，位于所述导流板和所述预热环的下方区域为腔体下腔；以及 进气法兰，所述进气法兰位于所述腔室法兰的远离所述腔体本体的一侧，所述进气法兰具有传片口和进气通道；所述传片口与所述腔体下腔流体连通，所述进气通道设置在所述进气法兰内部且位于所述传片口上方，所述进气通道的出气口连通至所述腔体上腔； 所述进气法兰还包括扫气通道，所述扫气通道设置在所述进气法兰内且位于所述传片口下方；所述扫气通道的出气口连通至所述腔体下腔；所述扫气通道的出气口的出气方向朝向第一区域，其中所述第一区域为所述预热环与所述导流板之间的间隙所在区域。
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