瑞能微恩半导体(上海)有限公司文乔获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞能微恩半导体(上海)有限公司申请的专利一种可控硅的测试装置及设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223333110U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422716964.8，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种可控硅的测试装置及设备是由文乔;于斌斌;吴继峰设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可控硅的测试装置及设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种可控硅的测试装置及设备，测试装置包括：电流抑制器、测试执行模块及测试箱。测试执行模块用于执行待测可控硅的至少一个测试项，测试箱通过电流抑制器与测试执行模块电连接，测试箱用于测试待测可控硅的击穿电压，电流抑制器用于在测试过程中，抑制测试箱与测试执行模块形成的电流回路内的电流突变。本公开通过电流抑制器对测电流回路内的电流突变进行抑制，避免待测可控硅及测试执行模块由于测试过程中电流发生突变而损坏。又由于待测可控硅和测试执行模块的损坏率降低，因此在可控硅的测试过程中，可以减少挑出损坏的待测可控硅的次数，以及减少更换损坏的测试执行模块的次数，因此节约了测试的时间，提高了可控硅的测试效率。
本实用新型一种可控硅的测试装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种可控硅的测试装置，其特征在于，包括： 电流抑制器； 测试执行模块，所述测试执行模块用于执行待测可控硅的至少一个测试项； 测试箱，通过所述电流抑制器与所述测试执行模块电连接；所述测试箱用于测试所述待测可控硅的击穿电压； 其中，所述电流抑制器用于在测试过程中，抑制所述测试箱与所述测试执行模块形成的电流回路内的电流突变。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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