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龙图腾网获悉象朵创芯微电子(苏州)有限公司申请的专利电容芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223333655U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422686216.X，技术领域涉及：H01G4/224；该实用新型电容芯片结构是由袁园设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容芯片结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种电容芯片结构，该电容芯片结构包括：玻璃衬底；第一导电层，第一导电层位于玻璃衬底的第一表面；电容介质层，电容介质层位于第一导电层远离玻璃衬底的一侧；电容介质层还覆盖第一导电层的侧壁，电容介质层设置有第一通孔；第二导电层，第二导电层位于电容介质层远离第一导电层的一侧；第二导电层的边界相对于第一导电层的边界向电容芯片结构的中心内缩；绝缘层，绝缘层位于第二导电层远离电容介质层的一侧；绝缘层设置有贯穿绝缘层的第二通孔和第三通孔；第一电气连接结构和第二导电层电连接；第二电气连接结构和第一导电层电连接。

本实用新型电容芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种电容芯片结构，其特征在于，包括： 玻璃衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面； 第一导电层，所述第一导电层位于所述玻璃衬底的第一表面； 电容介质层，所述电容介质层位于所述第一导电层远离所述玻璃衬底的一侧；所述电容介质层还覆盖所述第一导电层的侧壁，所述电容介质层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述电容介质层且露出所述第一导电层的部分表面； 第二导电层，所述第二导电层位于所述电容介质层远离所述第一导电层的一侧；所述第二导电层的边界相对于所述第一导电层的边界向所述电容芯片结构的中心内缩； 绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导电层远离所述电容介质层的一侧，所述绝缘层还覆盖所述第二导电层的侧壁、所述电容介质层远离所述第一导电层的一侧和所述电容介质层的侧壁以及所述第一通孔的侧壁；所述绝缘层设置有贯穿所述绝缘层的第二通孔和第三通孔，所述第二通孔露出所述第二导电层的部分表面； 第一电气连接结构，所述第一电气连接结构的中心部分位于所述第二通孔和所述第二导电层电连接，所述第一电气连接结构的边缘部分位于所述绝缘层远离所述玻璃衬底的表面； 第二电气连接结构，所述第二电气连接结构的中心部分位于所述第三通孔和所述第一导电层电连接，所述第二电气连接结构的边缘部分位于所述绝缘层远离所述玻璃衬底的表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人象朵创芯微电子(苏州)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区科营路2号中新生态大厦9层907室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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