连云港职业技术学院畅翔获国家专利权
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龙图腾网获悉连云港职业技术学院申请的专利一种刚性π-桥构筑策略的热激活延迟荧光材料及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119431253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411560178.1，技术领域涉及：C07D241/38；该发明授权一种刚性π-桥构筑策略的热激活延迟荧光材料及其应用是由畅翔;李发达;杨甜星;仇浩;吕娜设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种刚性π-桥构筑策略的热激活延迟荧光材料及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体公开了一种刚性π‑桥构筑策略的热激活延迟荧光材料及其应用，包括：以芘并喹喔啉为共轭π桥，连接氰基苯受体A单元、三苯胺TPA给体D单元，通过suzuki偶联构筑出具有D‑A分子结构的新型TADF材料TPA‑PyQl‑BzCN的结构；本发明以芘并喹喔啉为共轭π桥，连接氰基苯受体A单元，三苯胺TPA给体D单元，通过suzuki偶联构筑出具有D‑A分子结构的新型TADF材料TPA‑PyQl‑BzCN，这是一种全新的大共轭π桥单元构筑的TADF材料，用于热激活延迟荧光材料的分子构筑中，为热激活延迟荧光材料提供一种新的构筑策略，拓展了有机近红外发光材料的种类。
本发明授权一种刚性π-桥构筑策略的热激活延迟荧光材料及其应用在权利要求书中公布了：1.一种刚性π-桥构筑策略的热激活延迟荧光材料的应用，其特征在于，包括：以TADF发光材料，TPA-PyQl-BzCN为发光层掺杂剂，以CBP为主体材料，通过旋涂和加热退火工艺制作具有发光层； 所述TADF材料是以芘并喹喔啉为共轭π桥，连接氰基苯受体A单元、三苯胺TPA给体D单元，通过suzuki偶联构筑出具有D-A分子结构的新型TADF材料TPA-PyQl-BzCN的结构，具体分子结构如下所示： 所述的TADF有机电致发光器件结构为： ITOPEDOT:PSS35nmPVK30nmEML35nmTmPyPB45nmLiF0.5nmAl120nm； 其中，PVK空穴传输层，TmPyPB电子传输层，PEDOT:PSS为空穴注入层，EML为发光层，由客体材料TPA-PyQl-BzCN和主体材料4,4'-二9-咔唑联苯共混而成，阴极层为氟化锂和铝构成。
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