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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利直流断路器下SiC MOSFET特性评估装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119375651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411520527.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权直流断路器下SiC MOSFET特性评估装置及方法是由梁琳;郭仲祺设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本直流断路器下SiC MOSFET特性评估装置及方法在说明书摘要公布了：本申请提供了直流断路器下SiCMOSFET特性评估装置及方法，属于MOSFET特性评估领域，方法包括：通过改变外部可调电压源的预设电压值，对SiCMOSFET在直流断路器下进行不同故障电流下的单次关断测试，获取单次最大可关断电流值以及短时间尺度单次关断特性评价结果；固定外部可调电压源的预设电压值，间隔预设时间间隔，对SiCMOSFET在直流断路器下进行长时间尺度重复关断测试，获取长时间尺度下的安全运行边界和长时间尺度重复关断特性评价结果。本申请搭建的特性评估装置能够完整模拟SiCMOSFET这种器件在直流断路器任务剖面下的运行特性，为其在直流断路器中安全可靠运行奠定基础。

本发明授权直流断路器下SiC MOSFET特性评估装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种直流断路器下SiCMOSFET特性评估装置，其中，SiCMOSFET用于构建直流断路器，其特征在于，包括：外部可调电压源、开关、RLC功率回路、RCD缓冲电路、MOV钳位电路和驱动控制器； RLC功率回路、RCD缓冲电路和MOV钳位电路并联；驱动控制器与SiCMOSFET相连；SiCMOSFET串联在RLC功率回路中；开关设置在外部可调电压源与RLC功率回路中电容器构成的回路中； 外部可调电压源用于提供不同的预设电压值，对RLC功率回路中的电容器进行充电；驱动控制器用于在对电容器充电前控制SiCMOSFET关断；当对电容器充电结束后控制SiCMOSFET导通；RLC功率回路中的电容器用于通过放电使得RLC功率回路中的短路电流上升；驱动控制器用于当短路电路达到当前预设电压值下的最大值时，控制SiCMOSFET关断； RCD缓冲电路用于当SiCMOSFET关断后，通过电流转移，抑制SiCMOSFET暂态的电压超调；MOV钳位电路用于基于其两端电压达到工作电压时，电阻值变小呈导通状态，吸收RLC功率回路中的能量，且用于将SiCMOSFET两端电压钳位在钳位值； 所述直流断路器下SiCMOSFET特性评估装置，用于对SiCMOSFET分别进行直流断路器下的短时间尺度特性评估测试和长时间尺度特性评估测试； 短时间尺度特性评估测试为通过改变外部可调电压源的预设电压值以达到改变短路电流最大值的目的，对SiCMOSFET进行不同故障电流下的单次关断测试，获取SiCMOSFET能够承受的单次最大可关断电流值；其中，将当前预设电压值下短路电流的最大值作为故障电流； 长时间尺度特性评估测试为将外部可调电压源的预设电压值固定为单次最大可关断电流值的90%~95%所对应的外部可调电压源的预设电压值，间隔预设时间间隔，对SiCMOSFET进行直流断路器下长时间尺度重复关断测试。

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