东南大学谢卓颖获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种高精度三维硅结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119370850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411498753.X，技术领域涉及：C01B33/023；该发明授权一种高精度三维硅结构的制备方法是由谢卓颖;余浩瀚;丁海波;顾洪成;刘小将设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高精度三维硅结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高精度三维硅结构的制备方法，包括如下步骤：1通过软件建立待打印硅结构的3D模型并规划打印路径，使用TPL光刻胶在双光子聚合3D打印机中进行打印，得到初始POSS模型；2将所得模型浸泡于丙二醇甲醚醋酸酯中，除去未聚合的光刻胶，取出后再浸泡在异丙醇中，去除丙二醇甲醚醋酸酯，获得POSS模型；3将POSS模型置于高温空气氛围中进行烧结，以去除POSS模型中的有机成分，得到二氧化硅模型；4将二氧化硅模型和镁粉在高温氩气氛围中进行还原反应，将二氧化硅还原为硅，得到亚微米级精度的硅结构。
本发明授权一种高精度三维硅结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高精度三维硅结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）通过软件建立待打印硅结构的3D模型并规划打印路径，使用TPL光刻胶在双光子聚合3D打印机中进行打印，得到初始POSS模型；TPL光刻胶由如下重量份数的组分组成：75~99份带有可光固化取代基的POSS、0~20份稀释剂以及1~5份光引发剂；其中，带有可光固化取代基的POSS为八丙烯酰氧丙基POSS或八甲基丙烯酰氧丙基POSS； （2）将所得模型浸泡于丙二醇甲醚醋酸酯中，除去未聚合的光刻胶，取出后再浸泡在异丙醇中，去除丙二醇甲醚醋酸酯，获得POSS模型； （3）将POSS模型置于高温空气氛围中进行烧结，以去除POSS模型中的有机成分，得到二氧化硅模型；烧结温度为700~800℃，烧结时间为2~2.5h； （4）将二氧化硅模型和镁粉在高温氩气氛围中进行还原反应，将二氧化硅还原为硅，得到亚微米级精度的硅结构；还原反应的温度为650~700℃，反应时间为4~5h。
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