上海积塔半导体有限公司郑永哲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种离子束产生装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223333744U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422594880.1，技术领域涉及：H01J37/08；该实用新型一种离子束产生装置是由郑永哲;李纪翔;王大伟设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种离子束产生装置在说明书摘要公布了：本申请属于离子注入技术领域，提供一种离子束产生装置，包括电离室、第一供料组件、第二供料组件和阴极组件，第一供料组件位于电离室外部并与电离室连通，能够向电离室提供第一气体，第二供料组件包括位于电离室内的金属源，第一气体在电离室内与金属源反应生成第二气体，阴极组件位于电离室内用于发出电子，第二气体通过电子电离产生等离子体，其中，金属源可以为铝粉，第一气体可以为氯气。由于第一气体与金属源反应的温度较高，能够防止电离室内的温度环境对第二气体的生成速率产生不利影响，并通过控制第一气体在电离室的浓度，能够对第二气体的生成速率进行调控，提高了产生的离子束的稳定性。
本实用新型一种离子束产生装置在权利要求书中公布了：1.一种离子束产生装置，其特征在于，包括： 电离室，作为生成等离子体的容器； 第一供料组件，位于所述电离室的外部并与所述电离室连通，以向所述电离室提供第一气体； 第二供料组件，包括位于所述电离室内的金属源，所述第一气体在所述电离室内与所述金属源反应生成第二气体； 阴极组件，位于所述电离室内用于发出电子，所述第二气体通过所述电子电离产生等离子体。
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