武汉大学刘胜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种挠性覆铜板截面EBSD制样方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119375266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411485145.5，技术领域涉及：G01N23/20008；该发明授权一种挠性覆铜板截面EBSD制样方法是由刘胜;侯冬杨;东芳;吕婷;欧阳宇航设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种挠性覆铜板截面EBSD制样方法在说明书摘要公布了：本发明涉及检测试样制备技术领域，特别涉及一种挠性覆铜板截面EBSD制样方法，包括以下步骤：在挠性覆铜板上切割至少两片待检测样品；对切割的至少两片待检测样品进行堆叠胶粘；将堆叠胶粘后的样品的堆叠截面进行导电镶嵌；对镶嵌好的样品进行机械研磨、抛光处理；机械抛光完成后，将待检测试样表面冲洗至表面无抛光残液，最后进行氩离子抛光处理，即得到挠性覆铜板截面EBSD制样。本发明完整保存了挠性覆铜板中铜层的截面，突破了离子减薄技术制备挠性覆铜板截面EBSD样品的高成本、小视野的限制。保证了样品良好的导电性，避免了在检测过程中出现图像飘移，测试效率高，使EBSD标定率能够稳定保持在90％以上。
本发明授权一种挠性覆铜板截面EBSD制样方法在权利要求书中公布了：1.一种挠性覆铜板截面EBSD制样方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤（1）：在挠性覆铜板上切割至少两片待检测样品； 步骤（2）：对步骤（1）切割的至少两片待检测样品进行堆叠胶粘； 步骤（3）：将堆叠胶粘后的样品的堆叠截面进行导电镶嵌； 步骤（4）：对镶嵌好的样品进行机械研磨、抛光处理； 步骤（5）：机械抛光完成后，将待检测试样表面冲洗至表面无抛光残液，最后进行氩离子抛光处理，即得到挠性覆铜板截面EBSD制样。
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