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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于碳纳米管的量子计算架构及编码方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119398185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411484670.5，技术领域涉及：G06N10/40；该发明授权基于碳纳米管的量子计算架构及编码方法和装置是由邓光伟;陈宇翔;操可凡;郭孟林设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于碳纳米管的量子计算架构及编码方法和装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于碳纳米管的量子计算架构及编码方法和装置。碳纳米管可以通过制造沟槽的方式人为地分为多段，多段之间的耦合强度满足量子计算的要求。在本架构中，纳米管与其上的量子点不仅仅可以作为一个量子比特，同时也可以作为声子传输的通道。本发明编码量子比特的方式主要有双线编码与单线编码，不同的编码方式伴随着不同的量子资源的调配开销与纠错操作方式。但两种编码方式均使用一种名为表面码的拓扑码进行纠错。在基于碳纳米管的量子计算架构上实行表面码是方便的，因为其相邻量子比特之间可以通过调控传输通路的电极来控制耦合强度。

本发明授权基于碳纳米管的量子计算架构及编码方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种基于碳纳米管的量子计算架构的编码方法，其特征在于： 量子计算架构的结构分为纳米线二维交叉结构、辅助微波腔、电极系统，架构的编码方法为单线编码、或双线编码，对纳米线交叉点处进行绝缘设计，使用单线编码与双线编码来运行表面码； 其中，所述纳米线的二维交叉结构：纳米线十字形交叉地放置在沟槽上；纳米线交叉点处以及相邻交叉点之间纳米线中点处囚禁电子作为量子点；其中交叉点处上下两段纳米线上各有一个量子点；所述沟槽是指：二维基片上的凹凸结构； 所述辅助微波腔与电极系统：微波腔与电极系统相连，控制量子点； 所述纳米线交叉点处的绝缘设计：纳米线交叉点处做绝缘涂层，隔开两个量子点； 所述单线与双线编码方式：双线编码将量子比特编码到纳米线交叉点处的量子点处，单线编码将量子比特编码到单段纳米线的量子点处即相邻交叉点之间纳米线中点处量子点； 所述使用单线编码与双线编码来运行表面码的方式，即利用双线编码与单线编码各自的量子比特在二维架构中的位置特点，设计相应的运行表面码的方式； 位置特点有两种：一种量子点在纳米线交叉点处，称为A量子点；一种量子点在两个相邻交叉点的中点处，称为B量子点。

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