上海辰昊超导科技有限公司赵华炜获国家专利权
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龙图腾网获悉上海辰昊超导科技有限公司申请的专利一种具有主动屏蔽功能的MCZ超导磁体获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223333591U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422552290.2,技术领域涉及:H01F6/00;该实用新型一种具有主动屏蔽功能的MCZ超导磁体是由赵华炜;王鹏;虞维兴;何钧;余劲廷设计研发完成,并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有主动屏蔽功能的MCZ超导磁体在说明书摘要公布了:本实用新型涉及超导磁体技术领域,具体的说是一种具有主动屏蔽功能的MCZ超导磁体。一种具有主动屏蔽功能的MCZ超导磁体,其特征在于:骨架的中部缠绕超导磁体主线圈,骨架的上、下两侧分别缠绕上侧屏蔽线圈、下侧屏蔽线圈;所述的骨架、超导磁体主线圈上侧屏蔽线圈及下侧屏蔽线圈位于4K结构内,4K结构位于50K结构,50K结构位于300K结构内;所述的4K结构的上、下两端分别采用4K拉杆悬挂于300K结构内;所述的50K结构的上、下两端分别采用50K拉杆悬挂于300K结构内。同现有技术相比,这种磁体基于超导线圈产生辅助拉晶所需磁场,同时基于超导线圈进行主动屏蔽,降低磁体外的杂散场,提高单晶炉工作的稳定性、提高了工作人员的安全性、也提高了工厂的容积率。
本实用新型一种具有主动屏蔽功能的MCZ超导磁体在权利要求书中公布了:1.一种具有主动屏蔽功能的MCZ超导磁体,包括骨架、超导磁体线圈、杜瓦结构,所述的杜瓦结构包括4K结构、50K结构、300K结构,其特征在于:骨架(2)的中部缠绕超导磁体主线圈(1),骨架(2)的上、下两侧分别缠绕上侧屏蔽线圈(8)、下侧屏蔽线圈(9);所述的骨架(2)、超导磁体主线圈(1)、上侧屏蔽线圈(8)及下侧屏蔽线圈(9)位于4K结构(3)内,4K结构(3)位于50K结构(4)内,50K结构(4)位于300K结构(5)内;所述的4K结构(3)的上、下两端分别采用4K拉杆(14)悬挂于300K结构(5)内;所述的50K结构(4)的上、下两端分别采用50K拉杆(15)悬挂于300K结构(5)内。
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